Chinesischer Hersteller: Asymmetrischer Doherty-Leistungsverstärker im Ka-Band für hohe Effizienz und lineare Leistung
Mit einer kompakten Grundfläche von nur 0,26 mm² bietet dieser 65-nm-CMOS-Doherty-Leistungsverstärker hohe Effizienz (28,2 % PAE) und Linearität. Optimiert für den Frequenzbereich von 35–41 GHz, eignet er sich ideal für kostengünstige 5G-Millimeterwellen- und Satelliten-Phased-Array-Anwendungen.
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 35-41 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 25 |
| Psat (dBm) @38 GHz | 23.3 |
| OP1dB (dBm) @38 GHz | 22.4 |
| PAEmax (%) bei 38 GHz | 28.2 |
| Kernfläche (mm²) | 0,26 |
Häufig gestellte Fragen
Welches Halbleiterverfahren verwendet dieser Doherty PA?
Dieser Doherty-Leistungsverstärker (PA) wird unter Verwendung eines Standard-65nm-CMOS-Prozesses hergestellt, was ihn für die Massenproduktion äußerst kostengünstig macht.
In welchem Betriebsfrequenzbereich arbeitet dieses Gerät?
Das Gerät ist für einen effizienten Betrieb im Frequenzbereich von 35 GHz bis 41 GHz optimiert.
Welche Spezifikationen für Ausgangsleistung und Wirkungsgrad gelten bei 38 GHz?
Bei 38 GHz liefert der Doherty PA eine gesättigte Ausgangsleistung (Psat) von 23,3 dBm, einen Ausgangskompressionspunkt (OP1dB) von 22,4 dBm und erreicht einen maximalen Wirkungsgrad (PAEmax) von 28,2 %.
Wie kompakt ist der Kernbereich dieses Chips?
Es zeichnet sich durch eine extrem kompakte Bauweise mit einer Kernfläche von nur 0,26 mm² aus, was eine einfache Integration in dichte Array-Konfigurationen ermöglicht.
Was sind die primären Zielanwendungen für diesen CMOS-Leistungsverstärker?
Aufgrund seiner hohen Effizienz, Linearität und kompakten Größe eignet es sich ideal für 5G-Millimeterwellen-Kommunikation (mmWave) und Satelliten-Phased-Array-Anwendungen.
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