LTCC
MLCC
Chinesischer Hersteller von rauscharmen X-Band-Hochleistungsverstärkern | Zuverlässige Lieferanten für fortschrittliche Signalverstärkung
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 8,5-11,5 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 22,9 |
| Rauschzahl (dB) bei 10 GHz | 2.8 |
| Leistungsaufnahme (mW) | 49 |
| Kernfläche (mm²) | 0,24 |
Dieser 65-nm-CMOS-LNA bietet eine hohe Verstärkung von 22,9 dB und einen geringen Stromverbrauch von 49 mW in einem ultrakompakten 0,24 mm²-Design. Er gewährleistet eine hervorragende Signalempfindlichkeit und effiziente Integration und ist somit die ideale Lösung für kostengünstige X-Band-Phased-Array-Radargeräte, Satellitenkommunikationsempfänger und drahtlose Systeme.
Häufig gestellte Fragen
Welchen Betriebsfrequenzbereich hat dieser CMOS-LNA?
Dieser rauscharme Verstärker (LNA) arbeitet im Frequenzbereich von 8,5 bis 11,5 GHz und eignet sich daher perfekt für X-Band-Anwendungen.
Welches Herstellungsverfahren wird für diesen Chip verwendet?
Der Chip wird unter Verwendung einer standardmäßigen, kostengünstigen 65-nm-CMOS-Prozesstechnologie hergestellt.
Wie sehen die Leistungskennzahlen für Verstärkung und Rauschzahl bei 10 GHz aus?
Bei 10 GHz liefert dieser LNA eine hohe Verstärkung von 22,9 dB bei gleichzeitig niedrigem Rauschmaß von 2,8 dB, um eine ausgezeichnete Signalempfindlichkeit zu gewährleisten.
Wie hoch ist der Stromverbrauch und die Kernfläche des LNA?
Der LNA zeichnet sich durch eine ultrakompakte Kernfläche von nur 0,24 mm² aus und arbeitet effizient mit einem geringen Stromverbrauch von 49 mW.
Was sind die primären Zielanwendungen für diesen LNA?
Es ist hochgradig optimiert für kosteneffiziente X-Band-Phased-Array-Radargeräte, Satellitenkommunikationsempfänger und leistungsstarke drahtlose Systeme.
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