LTCC
MLCC
Top-Produkte
Hochverstärkender, rauscharmer X-Band-Verstärker aus China – Zuverlässige Lieferanten und Hersteller für Radar- und Kommunikationsanwendungen
Verfahren 65nm CMOS
Betriebsfrequenz 8,5–11,5 GHz
Gewinn bei 10 GHz 22,9 dB
Rauschzahl bei 10 GHz 2,8 dB
Stromverbrauch 49 mW
Kernbereich 0,24 mm²
Dieser 65-nm-CMOS-LNA bietet eine hohe Verstärkung von 22,9 dB und einen geringen Stromverbrauch von 49 mW in einem ultrakompakten 0,24 mm²-Design. Er gewährleistet eine hervorragende Signalempfindlichkeit und effiziente Integration und ist somit die ideale Lösung für kostengünstige X-Band-Phased-Array-Radargeräte, Satellitenkommunikationsempfänger und drahtlose Systeme.
Häufig gestellte Fragen
Welcher Halbleiterprozess wird für diesen LNA verwendet?
Dieser rauscharme Verstärker (LNA) wird unter Verwendung einer fortschrittlichen und kostengünstigen 65nm-CMOS-Prozesstechnologie hergestellt.
Welchen Betriebsfrequenzbereich hat der CMOS-LNA?
Das Gerät arbeitet effizient im Frequenzbereich von 8,5 GHz bis 11,5 GHz und eignet sich daher für X-Band-Anwendungen.
Was sind die wichtigsten Leistungskennzahlen dieses LNA bei 10 GHz?
Bei einer Mittenfrequenz von 10 GHz erreicht dieser LNA eine hohe Verstärkung von 22,9 dB und weist ein niedriges Rauschmaß von 2,8 dB auf.
Wie viel Strom verbraucht dieser CMOS-LNA?
Der LNA ist auf geringen Stromverbrauch ausgelegt und benötigt im Betrieb nur 49 mW, um energieempfindliche Systeme zu unterstützen.
Welche physikalischen Abmessungen hat dieser LNA-Chip?
Es zeichnet sich durch eine ultrakompakte Kernfläche von nur 0,24 mm² aus, was eine hochdichte Integration in moderne drahtlose Systeme ermöglicht.
Für welche Anwendungen eignet sich dieser 65-nm-CMOS-LNA am besten?
Es wird wärmstens empfohlen für kostengünstige X-Band-Phased-Array-Radargeräte, Satellitenkommunikationsempfänger und leistungsstarke drahtlose Systeme.
Get in touch
Your email address will not be published. Required fields are marked *