Hocheffizienter asymmetrischer Doherty-Leistungsverstärker im Ka-Band von chinesischen Herstellern – Direktlösungen ab Werk
Frequenzbereich
35 - 41 GHz
Max PAE
28,2 % bei 38 GHz
Kernbereich
0,26 mm²
Mit einer kompakten Grundfläche von nur 0,26 mm² bietet dieser 65-nm-CMOS-Doherty-Leistungsverstärker hohe Effizienz (28,2 % PAE) und Linearität. Optimiert für den Frequenzbereich von 35–41 GHz, eignet er sich ideal für kostengünstige 5G-Millimeterwellen- und Satelliten-Phased-Array-Anwendungen.
| Parameter | Spezifikationswert |
|---|---|
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 35 - 41 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 25 |
| Psat (dBm) @38 GHz | 23.3 |
| OP1dB (dBm) @38 GHz | 22.4 |
| PAEmax (%) bei 38 GHz | 28.2 |
| Kernfläche (mm²) | 0,26 |
Welcher Halbleiterprozess wird für diesen Leistungsverstärker verwendet?
In welchem Betriebsfrequenzbereich arbeitet dieses Gerät?
Wie hoch sind der maximale Wirkungsgrad (PAE) und die maximale Ausgangsleistung?
Was sind die primären Zielanwendungen für dieses Doherty PA?
Wie kompakt ist der Kernbereich dieses integrierten Schaltkreises?
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