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Rauscharmer Hochleistungsverstärker für X-Band-Anwendungen – Chinesische Lieferanten und Werkslösungen
Dieser 65-nm-CMOS-LNA bietet eine hohe Verstärkung von 22,9 dB und einen geringen Stromverbrauch von 49 mW in einem ultrakompakten 0,24 mm²-Design. Er gewährleistet eine hervorragende Signalempfindlichkeit und effiziente Integration und ist somit die ideale Lösung für kostengünstige X-Band-Phased-Array-Radargeräte, Satellitenkommunikationsempfänger und drahtlose Systeme.
| Parameterspezifikation | Wert / Leistung |
|---|---|
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 8,5-11,5 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 22,9 |
| Rauschzahl (dB) bei 10 GHz | 2.8 |
| Leistungsaufnahme (mW) | 49 |
| Kernfläche (mm²) | 0,24 |
Häufig gestellte Fragen
Welches Herstellungsverfahren wird für diesen LNA verwendet?
Dieser rauscharme Verstärker (LNA) wird unter Verwendung einer standardmäßigen, kostengünstigen 65-nm-CMOS-Prozesstechnologie hergestellt.
In welchem Betriebsfrequenzbereich arbeitet dieses Gerät?
Der LNA arbeitet im Frequenzbereich von 8,5 GHz bis 11,5 GHz, der wichtige X-Band-Anwendungen abdeckt.
Welche Verstärkung und welches Rauschverhalten bietet es bei 10 GHz?
Bei 10 GHz liefert der LNA eine hohe Verstärkung von 22,9 dB bei gleichzeitig sehr niedrigem Rauschmaß von 2,8 dB.
Wie hoch sind der Stromverbrauch und die physikalischen Abmessungen des LNA?
Es zeichnet sich durch einen geringen Stromverbrauch von 49 mW aus und basiert auf einer ultrakompakten Kernfläche von nur 0,24 mm².
Was sind die primären Zielanwendungen für diesen CMOS-LNA?
Es ist hochgradig optimiert für kosteneffiziente X-Band-Phased-Array-Radargeräte, Satellitenkommunikationsempfänger und verschiedene Hochfrequenz-Funksysteme.
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