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Hochleistungs-Ka-Band-Zweikanalverstärker von chinesischen Anbietern | Zuverlässige Werkslösungen für Kommunikationssysteme
Dieser 65-nm-CMOS-Zweikanal-Leistungsverstärker vereint hohe Integration mit einer Verstärkung von 25,8 dB im Frequenzbereich von 35–41 GHz. Mit einer kompakten Grundfläche von 0,3 mm² und einer Ausgangsleistung von 21,4 dBm eignet er sich ideal für kosteneffiziente, hochdichte Ka-Band-Satellitenterminals und 5G-mmWave-Beamforming-Arrays.
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 35-41 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 25,8 |
| Psat(dBm) @38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) @38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) bei 38 GHz | 21.9 |
| Kernfläche (mm²) | 0,3 |
Welche Fertigungstechnologie wird für diesen Leistungsverstärker verwendet?
Dieser Zweikanal-Leistungsverstärker (PA) wird in einem hochintegrierten 65-nm-CMOS-Prozess hergestellt.
In welchem Betriebsfrequenzbereich arbeitet das Gerät?
Das Gerät arbeitet in einem Hochfrequenzbereich von 35 GHz bis 41 GHz und eignet sich daher für Ka-Band-Anwendungen.
Welche wichtigen Spezifikationen gelten für die Ausgangsleistung bei 38 GHz?
Bei 38 GHz liefert der Leistungsverstärker eine gesättigte Ausgangsleistung (Psat) von 21,4 dBm und einen Ausgangskompressionspunkt von 1 dB (OP1dB) von 19,8 dBm.
Wie kompakt ist der Grundriss dieses PA-Bauteils?
Der Leistungsverstärker zeichnet sich durch eine ultrakompakte Kernfläche von nur 0,3 mm² aus, was eine hochdichte Integration ermöglicht.
Was ist der maximale Wirkungsgrad des Leistungsverstärkers?
Das Gerät erreicht einen maximalen Wirkungsgrad (PAEmax) von 21,9 % bei einer Betriebsfrequenz von 38 GHz.
Was sind die Hauptanwendungsgebiete dieses Geräts?
Es eignet sich ideal für kosteneffiziente Ka-Band-Satellitenterminals mit hoher Dichte und 5G-mmWave-Beamforming-Arrays.
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