Asymmetrischer Doherty-Leistungsverstärker im Ka-Band von chinesischen Herstellern – Hocheffiziente Fabriklösungen für HF-Anwendungen
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 35-41 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 25 |
| Psat (dBm) @38 GHz | 23.3 |
| OP1dB (dBm) @38 GHz | 22.4 |
| PAEmax (%) bei 38 GHz | 28.2 |
| Kernfläche (mm²) | 0,26 |
Mit einer kompakten Grundfläche von nur 0,26 mm² bietet dieser 65-nm-CMOS-Doherty-Leistungsverstärker hohe Effizienz (28,2 % PAE) und Linearität. Optimiert für den Frequenzbereich von 35–41 GHz, eignet er sich ideal für kostengünstige 5G-Millimeterwellen- und Satelliten-Phased-Array-Anwendungen.
Welcher Halbleiterprozess wird für diesen Doherty PA verwendet?
In welchem Frequenzbereich arbeitet dieser Verstärker?
Welche Ausgangsleistung (Psat und OP1dB) wird bei 38 GHz erreicht?
Wie hoch ist der maximale Wirkungsgrad (PAEmax) dieses Chips?
Wie kompakt ist der physische Kernbereich des Verstärkers?
Was sind die Hauptanwendungsgebiete für dieses Doherty PA?
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