Ka-Band Zweikanal-Kombinations-Hochleistungsverstärker
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 35-41 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 25,8 |
| Psat(dBm) @38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) @38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) bei 38 GHz | 21.9 |
| Kernfläche (mm²) | 0,3 |
Dieser 65-nm-CMOS-Zweikanal-Leistungsverstärker vereint hohe Integration mit einer Verstärkung von 25,8 dB im Frequenzbereich von 35–41 GHz. Mit einer kompakten Grundfläche von 0,3 mm² und einer Ausgangsleistung von 21,4 dBm eignet er sich ideal für kosteneffiziente, hochdichte Ka-Band-Satellitenterminals und 5G-mmWave-Beamforming-Arrays.
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