Ka-Band Zweikanal-Hochleistungsverstärker – Chinesische Lieferanten und Hersteller für fortschrittliche Kommunikationssysteme
Dieser 65-nm-CMOS-Zweikanal-Leistungsverstärker vereint hohe Integration mit einer Verstärkung von 25,8 dB im Frequenzbereich von 35–41 GHz. Mit einer kompakten Grundfläche von 0,3 mm² und einer Ausgangsleistung von 21,4 dBm eignet er sich ideal für kosteneffiziente, hochdichte Ka-Band-Satellitenterminals und 5G-mmWave-Beamforming-Arrays.
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Verfahren | 65nm CMOS |
| Betriebsfrequenz (GHz) | 35-41 |
| Verstärkung (dB) bei 10 GHz | 25,8 |
| Psat(dBm) @38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) @38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) bei 38 GHz | 21.9 |
| Kernfläche (mm²) | 0,3 |
Häufig gestellte Fragen
Welche Prozesstechnologie wird für diese Zweikanal-PA verwendet?
Dieser Zweikanal-Leistungsverstärker wird in einem 65-nm-CMOS-Verfahren hergestellt, was eine hochintegrierte und kompakte Bauweise ermöglicht.
In welchem Betriebsfrequenzbereich arbeitet dieses Gerät?
Der Betriebsfrequenzbereich dieses Leistungsverstärkers liegt zwischen 35 GHz und 41 GHz.
Wie hoch sind Ausgangsleistung und Wirkungsgrad bei 38 GHz?
Bei 38 GHz liefert der Leistungsverstärker eine gesättigte Ausgangsleistung (Psat) von 21,4 dBm, einen Ausgangskompressionspunkt von 1 dB (OP1dB) von 19,8 dBm und einen maximalen Wirkungsgrad (PAEmax) von 21,9 %.
Wie groß ist der Kernbereich dieses Leistungsverstärkers?
Das Gerät zeichnet sich durch eine extrem kompakte Bauweise mit einer Kernfläche von nur 0,3 mm² aus.
Was sind die Hauptanwendungen für diesen CMOS-Leistungsverstärker?
Es eignet sich ideal für kosteneffiziente Ka-Band-Satellitenterminals mit hoher Dichte und 5G-mmWave-Beamforming-Arrays.
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