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X-Band-Hochleistungsverstärker mit geringem Rauschen

Der X-Band-Hochleistungsverstärker mit geringem Rauschen Dieser Verstärker wurde für eine außergewöhnliche Signalverstärkung bei minimalem Rauschen entwickelt und gewährleistet so eine hohe Wiedergabetreue in anspruchsvollen Anwendungen. Er arbeitet im X-Band-Frequenzbereich und bietet eine signifikante Verstärkung bei gleichzeitig niedrigem Rauschmaß. Dadurch eignet er sich ideal für Radar, Satellitenkommunikation und moderne Systeme der elektronischen Kampfführung. Seine kompakte Bauweise, die hohe Linearität und der stabile Betrieb unter verschiedenen Umgebungsbedingungen garantieren eine zuverlässige Leistung und verbessern die Systemempfindlichkeit sowie die Signalqualität in kritischen Hochfrequenzanwendungen.


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    Verfahren 65nm CMOS
    Betriebsfrequenz (GHz) 8,5-11,5
    Verstärkung (dB) bei 10 GHz 22,9
    Rauschzahl (dB) bei 10 GHz 2.8
    Leistungsaufnahme (mW) 49
    Kernfläche (mm²) 0,24

    Dieser 65-nm-CMOS-LNA bietet eine hohe Verstärkung von 22,9 dB und einen geringen Stromverbrauch von 49 mW in einem ultrakompakten 0,24 mm²-Design. Er gewährleistet eine hervorragende Signalempfindlichkeit und effiziente Integration und ist somit die ideale Lösung für kostengünstige X-Band-Phased-Array-Radargeräte, Satellitenkommunikationsempfänger und drahtlose Systeme.

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